中國—中東歐貿(mào)易便利化國檢試驗區(qū)揭牌
12月22日,2017中國(寧波)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇暨創(chuàng)新項目推介會在寧波舉行,半導體領域、產(chǎn)業(yè)和投融資機構(gòu)專家等諸多業(yè)界大咖,就第三代半導體產(chǎn)業(yè)趨勢未來論劍寧波,相關(guān)行業(yè)代表約200余人參加論壇進行了分享。
產(chǎn)業(yè)專家云集寧波
近年來,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料,因具備禁帶寬度大、抗輻射能力強、高溫穩(wěn)定性好、光電轉(zhuǎn)化能力高、高頻下功率特性優(yōu)良和能量損耗低等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”。
在論壇上,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山、中科院寧波材料所研究員葉繼春、國網(wǎng)聯(lián)研院研究室副主任戴朝波、中科院電工所研究員寧圃奇、國知局保護協(xié)調(diào)司汪勇等專家,分別從第三代半導體技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與應用、寧波發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)總體布局、第三代半導體技術(shù)路線、半導體材料在電動汽車中的應用及第三代半導體知識產(chǎn)權(quán)糾紛應對策略等主題的講座,從技術(shù)變遷、現(xiàn)狀趨勢、市場應用及知識產(chǎn)權(quán)保護等方面為寧波布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)提供指引和借鑒。
會議還結(jié)合寧波第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,邀請北京智博晟源科技有限公司、中芯集成電路(寧波)有限公司等6家單位分別作創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目路演推介,為加快集聚半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新資源、形成產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢營造良好氛圍。
寧波具備第三代半導體產(chǎn)業(yè)基礎
寧波半導體產(chǎn)業(yè)起步于2000年,歷時17年發(fā)展,已形成貫穿較為完備的上下游產(chǎn)業(yè)鏈,擁有了多個終端應用市場,產(chǎn)業(yè)基礎扎實、發(fā)展需求穩(wěn)定,發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢凸顯。
“加快發(fā)展第三代半導體,有利于寧波形成產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢,加速產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)同聯(lián)動,搶占新型綠色智能經(jīng)濟一席之地。但‘蛋糕’很大,往往‘機會’被錯過。”業(yè)內(nèi)專家提醒。
“我們也清醒地認識寧波半導體產(chǎn)業(yè)的短板,如產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新支撐力薄弱,專業(yè)人才匱乏,缺少產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新的公共研發(fā)平臺;如,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不均衡、缺乏讓第三代半導體設計企業(yè)聚集和發(fā)展的代工產(chǎn)線。”中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所葉繼春博士分析,產(chǎn)業(yè)未來市場蓄勢待發(fā),目前亟待以技術(shù)創(chuàng)新撬動基礎優(yōu)勢,以技術(shù)創(chuàng)新帶動產(chǎn)業(yè)層次提升,在關(guān)鍵領域取得重點突破并實現(xiàn)彎道超車。
“第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要統(tǒng)籌規(guī)劃。寧波在多個終端應用均具有較多的下游企業(yè)及市場,是發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)的源動力。”葉繼春指出。
另獲悉,寧波將在2018年啟動“科技創(chuàng)新2025”重大專項,有望包含第三代半導體方向,專項重點聚焦第三代半導體材料生長,器件設計、制造和應用技術(shù)能力提升,著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應用技術(shù)難題,將有利于推動區(qū)域傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,有利于搶占新興產(chǎn)業(yè)制高點。寧波電子行業(yè)協(xié)會任秘書長表示,寧波電子行業(yè)協(xié)會也將繼續(xù)發(fā)揮行業(yè)平臺優(yōu)勢和作用,助推產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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